典型文献
Mg掺杂CaCu3Ti4O12薄膜的制备与表征
文献摘要：
采用改进的溶胶凝胶法制备Mg掺杂的CaCu3?xMgxTi4O12(x=0、0.05、0.1、0.15和0.2,摩尔分数,％)薄膜.对掺Mg的CaCu3Ti4O12(CCTO)薄膜的微观结构和电性能进行研究.与未掺杂的CCTO薄膜相比,掺Mg的CCTO薄膜的晶粒尺寸较小.此外,与未掺杂的CCTO薄膜相比,掺Mg的CCTO薄膜具有高介电常数和出色的频率稳定性.同时,Mg掺杂可以减少CCTO薄膜在104～106 Hz频率范围内的介电损耗.结果表明,与未掺杂的CCTO薄膜相比,掺Mg的CCTO薄膜具有良好的电学特性,x=0.15和x=0.1的Mg掺杂CCTO薄膜的非线性系数分别提高到7.4和6.0.
文献关键词：
介电材料;CaCu3Ti4O12;Mg掺杂;介电常数;介电损耗;压敏性能
中图分类号：
作者姓名：
姜明;程战;赵丹;张雷;徐东
作者机构：
安徽工业大学 冶金减排与资源循环教育部重点实验室,马鞍山 243002;安徽工程大学 材料科学与工程学院,芜湖 241000;中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司,宁波 315700
文献出处：
引用格式：
[1]姜明;程战;赵丹;张雷;徐东-.Mg掺杂CaCu3Ti4O12薄膜的制备与表征)[J].中国有色金属学报（英文版）,2022(05):1589-1597
A类：
CaCu3,xMgxTi4O12,CCTO
B类：
CaCu3Ti4O12,制备与表征,溶胶凝胶法,摩尔分数,电性能,晶粒尺寸,介电常数,出色,频率稳定性,介电损耗,电学特性,非线性系数,介电材料,压敏性能
AB值：
0.194195
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