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反应磁控溅射沉积纳米多孔BiVO4薄膜光催化剂:总压力和基底的影响
文献摘要：
使用脉冲直流电源、金属Bi和V靶材,在氩气和氧气气氛保护下,通过反应磁控溅射法在不同基板上沉积纳米多孔BiVO4薄膜,然后在空气中进行后退火处理,形成具有光敏性的单斜白钨矿晶体.研究总压力和基底对薄膜晶体结构、形貌、显微组织、光学和光催化性能的影响.结果表明,在石英玻璃基底上沉积的单斜白钨矿结构于250℃开始结晶,薄膜在600℃时达到稳定.即使在较高的溅射压力(>2 Pa)下,薄膜的形貌也相当致密,且嵌有纳米孔.以石英玻璃为基体沉积的薄膜,在4.5 Pa条件下具有最高的孔隙率(52％),最低的能带隙(2.44 eV),且具有最高的在可见光照射下降解罗丹明-B的光催化活性(7 h后为26％).在硅基底上沉积的薄膜表现出最高的光活性(7 h后为53％).薄膜在UV?Vis吸收光谱中缺乏蓝移,表明光解过程中以发色团裂解为主.
文献关键词：
光催化;BiVO4;薄膜;溅射;纳米多孔薄膜
中图分类号：
作者姓名：
Siavash BAKHTIARNIA;Saeed SHEIBANI;Alain BILLARD;Eric AUBRY;Mohammad ARAB POUR YAZDI
作者机构：
School of Metallurgy and Materials Engineering, College of Engineering, University of Tehran, Tehran, Iran;Institut FEMTO-ST, UMR 6174, CNRS, Univ. Bourgogne Franche-Comté, 15B, Avenue des Montboucons, 25030 Besan?on, France
文献出处：
引用格式：
[1]Siavash BAKHTIARNIA;Saeed SHEIBANI;Alain BILLARD;Eric AUBRY;Mohammad ARAB POUR YAZDI-.反应磁控溅射沉积纳米多孔BiVO4薄膜光催化剂:总压力和基底的影响)[J].中国有色金属学报（英文版）,2022(03):957-971
A类：
纳米多孔薄膜
B类：
反应磁控溅射,溅射沉积,BiVO4,光催化剂,总压,脉冲直流电,直流电源,靶材,氩气,气气,磁控溅射法,基板,后退火,退火处理,光敏性,单斜,晶体结构,显微组织,光催化性能,石英玻璃,玻璃基,白钨矿结构,Pa,纳米孔,孔隙率,带隙,eV,可见光,射下,罗丹明,光催化活性,硅基底,光活性,UV,Vis,吸收光谱,蓝移,明光,光解,发色团
AB值：
0.366025
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