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片上SRAM物理不可克隆函数特性优化设计
文献摘要：
业内常用静态随机存储器(SRAM)物理不可克隆函数(PUF)通过片上SRAM上电初始状态的固有物理特性生成系统安全密钥.但在系统不能充分掉电的情况下,片上集成SRAM上电后保持了上次掉电前的状态,无法生成固有的物理特性密钥.提出了一种在系统不能充分掉电情况下的电源控制电路,确保SRAM单元充分掉电,从而保证片上SRAM上电初始状态的物理特性.
文献关键词：
静态随机存储器;物理不可克隆函数;上下电控制
中图分类号：
作者姓名：
高国平;赵维林
作者机构：
中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214072
文献出处：
引用格式：
[1]高国平;赵维林-.片上SRAM物理不可克隆函数特性优化设计)[J].电子与封装,2022(07):25-28
A类：
B类：
SRAM,物理不可克隆函数,静态随机存储器,PUF,初始状态,物理特性,系统安全,安全密钥,掉电,片上集成,上次,电源控制,控制电路,上下电控制
AB值：
0.330643
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