典型文献
非易失性静态随机存储器研究进展
文献摘要：
在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM).首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在解决传统SRAM掉电数据储存问题、加快读取速度以及减少功耗等方面的优势进行阐述.对近年来基于阻变存储器的NVSRAM的研究背景和国内外研究现状进行了调研,着重比较和分析了已有结构的优缺点,重点探讨了提高恢复率、减少漏电流和降低功耗的关键优化技术.最后,展望了NVSRAM未来的应用和研究发展方向.
文献关键词：
非易失性;静态随机存储器(SRAM);恢复率;漏电流;功耗
中图分类号：
作者姓名：
冯平;尹家宇;宋长坤;余仕湖;李伯阳;陈铖颖;左石凯
作者机构：
厦门理工学院光电与通信工程学院,福建厦门 361024;厦门新声科技有限公司,福建厦门 361115
文献出处：
引用格式：
[1]冯平;尹家宇;宋长坤;余仕湖;李伯阳;陈铖颖;左石凯-.非易失性静态随机存储器研究进展)[J].半导体技术,2022(01):1-8,18
A类：
NVSRAM
B类：
静态随机存储器,非易失性存储器,基本工作原理,掉电,数据储存,读取,阻变存储器,研究背景,国内外研究现状,恢复率,漏电流,降低功耗,优化技术,研究发展方向
AB值：
0.211028
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