典型文献
一种基于斯坦福RRAM模型的参数提取方法
文献摘要：
阻变随机存取存储器(RRAM)是一种新型非易失性存储器件,比主流的闪存(Flash)器件具有更快的读/写速度、更低的编程电压和功耗.然而由于工艺不成熟等因素,RRAM准确的器件模型需要在已有的斯坦福物理模型基础上,对多达6个曲线拟合参数反复进行调整,具有一定的建模难度.提出了一种简并参数的建模方法,通过器件实测数据计算出其中4个曲线拟合参数I0、g0、γ0、β.该方法大大降低了将物理模型适配为实际模型的建模难度,且由于基于实测数据,该建模方法理论上对不同工艺具有适配性.最后在不同工艺条件下制作了基于HfOx材料的RRAM器件,并验证了该方法的有效性、先进性和准确性.
文献关键词：
阻变随机存取存储器(RRAM);非易失性存储器;器件模型;HfOx材料;导电细丝理论
中图分类号：
作者姓名：
孙海燕;张硕;张晓波;戴澜
作者机构：
北方工业大学信息学院,北京 100144
文献出处：
引用格式：
[1]孙海燕;张硕;张晓波;戴澜-.一种基于斯坦福RRAM模型的参数提取方法)[J].半导体技术,2022(08):670-675
A类：
HfOx,导电细丝理论
B类：
斯坦福,RRAM,参数提取方法,随机存取存储器,非易失性存储器,闪存,Flash,功耗,器件模型,物理模型,多达,曲线拟合,拟合参数,简并,数据计算,I0,g0,大大降低,法理论,不同工艺,适配性,工艺条件
AB值：
0.286962
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