典型文献
GaMnAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaMnAs隧道结的磁致电阻效应
文献摘要：
利用k·p微扰和多能带量子传输边界相结合,推导出自旋空间中的量子坐标轴变换矩阵,以及空穴透过GaMnAs/AlAs/GaMnAs/AlAs/GaMnAs双势垒铁磁半导体(FS)隧道结的透射系数和磁致电阻(TMR)理论公式.计算了重空穴和轻空穴透射系数随入射能量的变化,得到TMR与两层FS磁化方向夹角(θ)的关系.研究发现透射系数随着入射能量递增出现明显震荡,相对于非磁性半导体,轻空穴和重空穴透射系数的差值减小;与单势垒隧道结不同,双势垒隧道结中TMR和sin2(θ/2)之间呈现出非线性关系.其结果对磁性半导体隧道结的研究具有一定的参考价值.
文献关键词：
铁磁性半导体;隧道结;磁致电阻
中图分类号：
作者姓名：
鲁明亮;马丽娟;陶永春
作者机构：
南京高等职业技术学校 轨道交通学院,江苏 南京 210019;南京师范大学 物理科学与技术学院,江苏 南京 210023
文献出处：
引用格式：
[1]鲁明亮;马丽娟;陶永春-.GaMnAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaMnAs隧道结的磁致电阻效应)[J].淮阴师范学院学报（自然科学版）,2022(03):207-214
A类：
GaMnAs,磁致电阻,铁磁性半导体
B类：
AlAs,GaAs,隧道结,微扰,自旋,坐标轴,轴变,变换矩阵,空穴,势垒,FS,透射系数,TMR,理论公式,入射能量,两层,磁化方向,夹角,震荡,非磁性,sin2,非线性关系
AB值：
0.247241
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