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低温漂薄膜体声波谐振器研究
文献摘要：
该文介绍了一种基于空腔结构的温度补偿型薄膜体声波谐振器(TC-FBAR).通过在压电层上方生长SiO2温度补偿层,实现谐振器的低温漂.未采用温度补偿的薄膜体声波谐振器,其频率温度系数约为—25×10—6/℃.通过适当的膜层结构设计,可使其频率温度系数在±3×10—6/℃.结果表明,由于温度补偿层的增加,导致器件总体压电效应降低,使谐振器的有效机电耦合系数降低.低温漂谐振器的实现,为窄带低温漂滤波器的研制提供了有效的设计和工艺技术支撑.
文献关键词：
薄膜体声波谐振器(FBAR);频率温度系数;低温漂;温度补偿
中图分类号：
作者姓名：
蒋世义;蒋平英;刘娅;甄静怡;徐阳;彭霄;唐中剑
作者机构：
中国电子科技集团公司 第二十六研究所,重庆 400060;重庆青年职业技术学院 人工智能学院,重庆 400712
文献出处：
引用格式：
[1]蒋世义;蒋平英;刘娅;甄静怡;徐阳;彭霄;唐中剑-.低温漂薄膜体声波谐振器研究)[J].压电与声光,2022(02):171-174
A类：
B类：
低温漂,薄膜体声波谐振器,空腔结构,温度补偿,FBAR,方生,SiO2,频率温度系数,膜层,压电效应,有效机电耦合系数,窄带,滤波器,工艺技术
AB值：
0.186254
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