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片上温漂补偿的压阻式压力芯片的设计与制造
文献摘要：
为解决硅压阻式压力芯片灵敏度随着温度变化发生漂移的问题,设计了一种在片上集成温度补偿结构的压力芯片.在压力芯片上制备电阻温度系数(TCR)为负数的多晶硅电阻用于分压,调整不同温度下的惠斯通电桥端电压以达到灵敏度补偿的效果.本文的研究包含理论分析、参数计算,并进行了芯片制备和性能测试.性能测试结果表明,补偿后的耐高温封装传感器芯片在-50℃～270℃区间内,温漂为-0.034％FS/℃,简易封装传感器芯片在-40℃～125℃区间内的温漂为-0.008％FS/℃,该补偿芯片的温漂远小于无补偿的压力芯片.
文献关键词：
温度补偿;片上补偿;压阻式;MEMS;压力芯片
中图分类号：
作者姓名：
李舜华;聂泳忠;李腾跃;吴桂珊;杨文奇
作者机构：
西人马联合测控(泉州)科技有限公司,福建 泉州362011
文献出处：
引用格式：
[1]李舜华;聂泳忠;李腾跃;吴桂珊;杨文奇-.片上温漂补偿的压阻式压力芯片的设计与制造)[J].传感技术学报,2022(04):474-479
A类：
多晶硅电阻,片上补偿
B类：
温漂补偿,压阻式,压力芯片,设计与制造,漂移,片上集成,温度补偿,备电,电阻温度系数,TCR,负数,惠斯通电桥,端电压,参数计算,耐高温,高温封装,FS,该补,无补偿,MEMS
AB值：
0.316241
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