典型文献
基于0.25μm BCD工艺的一种新型低温漂欠压保护电路
文献摘要：
提出了一种结构简单并且具有低温度敏感性的新型欠压保护电路.该电路避免了传统欠压保护电路的基准电压产生模块和比较器模块,利用带隙基准结构和高阶温度补偿的方法减小阈值电压和迟滞电压随温度的变化量,提高了UVLO电路的独立性和可靠性.基于0.25μm BCD工艺设计实现的新型欠压保护电路芯片面积为0.04 mm2,功耗为0.14 mW.在温度为25℃时,新型欠压保护电路的上升阈值为8.625 V,下降阈值为8.145 V,迟滞量为0.48 V,能够满足电源管理芯片的应用要求.在-40℃～125℃温度变化范围内,该电路的阈值电压和迟滞电压的最大变化量分别为53 mV和50 mV,具有低温度漂移特性.
文献关键词：
欠压保护;迟滞;阈值电压;高阶温度补偿;低温漂
中图分类号：
作者姓名：
郭敏;王立新;谢红云;张洪凯;崔梦瑶;陈润泽;刘先程
作者机构：
北京工业大学信息学部,北京100124;中国科学院 微电子研究所,北京100029
文献出处：
引用格式：
[1]郭敏;王立新;谢红云;张洪凯;崔梦瑶;陈润泽;刘先程-.基于0.25μm BCD工艺的一种新型低温漂欠压保护电路)[J].电子器件,2022(06):1307-1311
A类：
高阶温度补偿,迟滞电压
B类：
BCD,低温漂,欠压保护,保护电路,结构简单,温度敏感性,基准电压,比较器,带隙基准,阈值电压,变化量,UVLO,工艺设计,设计实现,mm2,功耗,mW,电源管理芯片,应用要求,变化范围,mV,温度漂移
AB值：
0.295561
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