典型文献
基于SiO2/ZnO/SiO2/SiC复合结构瑞利波谐振器设计
文献摘要：
采用有限元法建立了ZnO/SiC,ZnO/SiO2/SiC和SiO2/ZnO/SiC这3种不同复合结构模型,仿真分析了ZnO薄膜厚度一定的情况下,不同厚度SiO2薄膜对谐振器瑞利波相速度、机电耦合系数的影响,并根据分析结果设计出了基于SiO2/ZnO/SiO2/SiC复合结构瑞利波谐振器的具体尺寸.结果表明:设计的谐振器激发出的瑞利波相速度为7268.1 m/s,且器件具有3.52％的高机电耦合系数.
文献关键词：
瑞利波;谐振器;有限元仿真;相速度;机电耦合系数
中图分类号：
作者姓名：
刘智荣;谢立强;朱敏;包文岐
作者机构：
陆军工程大学国防工程学院,江苏南京210007
文献出处：
引用格式：
[1]刘智荣;谢立强;朱敏;包文岐-.基于SiO2/ZnO/SiO2/SiC复合结构瑞利波谐振器设计)[J].传感器与微系统,2022(01):75-77
A类：
B类：
SiO2,ZnO,SiC,复合结构,瑞利波,谐振器,有限元法,薄膜厚度,相速度,机电耦合系数,体尺,有限元仿真
AB值：
0.16927
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