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阻抗分析仪测量功率MOSFET器件栅极分离电容C-V特性的误差分析及调控方法
文献摘要：
功率MOSFET器件栅极分离电容C-V特性(CGS-VG、CGD-VG)的准确测量对于器件的建模及栅氧可靠性的评估十分重要.阻抗分析仪是测量CGS-VG、CGD-VG的关键设备.在利用阻抗分析仪测量三端器件的某个参数时,需对非测量的第三端进行屏蔽以消除其引入的并联阻抗误差.而功率MOSFET器件在栅压超过阈值电压时呈导通态,影响测量电路拓扑,进而引入其他测量误差.该文针对阻抗分析仪测量功率MOSFET器件的CGS-VG、CGD-VG进行详细的误差分析,揭示测量误差产生的原因;建立测量的等效电路,给出测量误差的解析表达式;结合实验和数值分析量化误差分析,验证了等效电路模型的有效性;最后,提出三种可实现C-V特性准确测量的调控方法并予以实验验证.结果表明,测量误差发生在器件导通后,此时器件漏源极间由电容态转变为低阻态,屏蔽端的寄生电感(L5)与自动平衡电桥的等效输入阻抗(L3)分流,引入误差.当L3和L5满足一定的匹配关系时,可实现不同频率下的准确测量.
文献关键词：
功率;MOSFET;器件;阻抗分析仪;栅极分离电容;C-V;特性;等效电路模型;误差分析
中图分类号：
作者姓名：
蔡雨萌;赵志斌;徐子珂;孙鹏;李学宝
作者机构：
新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学) 北京 102206
文献出处：
引用格式：
[1]蔡雨萌;赵志斌;徐子珂;孙鹏;李学宝-.阻抗分析仪测量功率MOSFET器件栅极分离电容C-V特性的误差分析及调控方法)[J].电工技术学报,2022(12):3016-3027,3037
A类：
栅极分离电容
B类：
阻抗分析仪,MOSFET,误差分析,调控方法,CGS,VG,CGD,准确测量,关键设备,三端,某个,屏蔽,阈值电压,导通,测量电路,电路拓扑,测量误差,解析表达式,量化误差,等效电路模型,容态,低阻,寄生电感,L5,自动平衡电桥,输入阻抗,L3,匹配关系,不同频率
AB值：
0.245983
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