典型文献
多孔SiC纳米片的原位合成及光催化性能
文献摘要：
以可膨胀石墨作为原材料,通过高温膨化和机械砂磨得到石墨薄片,再以石墨薄片作为模板合成了不同比表面积的碳化硅纳米片(SiCNSs).探究了比表面积对SiCNSs光催化制氢性能的影响.结果表明,SiCNSs的比表面积对其产氢性能影响显著,提高光催化剂的比表面积有利于增强其产氢活性.SiCNSs的最大比表面积可达149 m2·g-1,其光解水产氢速率为51.0 μL·g-1·h-1.在对石墨薄片和SiCNSs结构、形貌分析的基础上,提出了以石墨薄片为模板原位生成SiCNSs的形成机理,该过程主要遵循气固反应机制.高温下,气态的SiO和Si与石墨薄片反应生成SiCNSs,产物较好地继承了石墨薄片的片状结构.大尺寸石墨片上未反应部分除碳之后留下了大量纳米尺寸穿孔,使得所生成SiC的比表面积反而比小尺寸石墨片产物的高.
文献关键词：
多孔碳化硅纳米片;原位生长;气固机制;比表面积;可膨胀石墨
中图分类号：
作者姓名：
朱子轩;郑雨佳;王丹;曹宏;薛俊
作者机构：
武汉工程大学材料科学与工程学院,武汉 430205;湖北省环境材料与膜技术工程技术研究中心,武汉 430205
文献出处：
引用格式：
[1]朱子轩;郑雨佳;王丹;曹宏;薛俊-.多孔SiC纳米片的原位合成及光催化性能)[J].无机化学学报,2022(03):441-448
A类：
SiCNSs,多孔碳化硅纳米片,气固机制
B类：
原位合成,光催化性能,可膨胀石墨,膨化,砂磨,薄片,再以,模板合成,光催化制氢性能,产氢性能,光催化剂,大比表面积,光解水,产氢速率,形貌分析,原位生成,形成机理,气固反应,反应机制,气态,SiO,片状结构,大尺寸,石墨片,除碳,纳米尺寸,穿孔,所生,小尺寸,原位生长
AB值：
0.26879
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