典型文献
SiC单层内Co空间选位对自旋组态的调控
文献摘要：
基于第一性原理的密度泛函理论,对SiC单层不同位置掺杂Co进行了能带结构、电子态密度、净自旋密度和自旋纹理等计算,结果表明不同位置的掺杂引起不同特征的自旋积累及单层的电子结构特性.由于Co的不同选位掺杂而产生一些新奇现象,如扭曲的Co-C键在掺杂SiC内激发了自旋流而诱导了自旋重新分布,不同选位的Co原子通过调整内磁场改变了小极化子内巡游电子的定域属性,增加了Dirac点附近磁振子的色散强度等.这些研究结果为得到一个人工调控量子自旋电路和选频自旋波器件内自旋谷电子提供了理想平台.
文献关键词：
碳化硅单层;选位掺杂;态密度;自旋纹理
中图分类号：
作者姓名：
陈莉平;炎正馨;王朝棋;王乙先
作者机构：
西安科技大学 理学院,西安710054
文献出处：
引用格式：
[1]陈莉平;炎正馨;王朝棋;王乙先-.SiC单层内Co空间选位对自旋组态的调控)[J].原子与分子物理学报,2022(06):41-49
A类：
自旋纹理,选位掺杂,小极化子,碳化硅单层
B类：
SiC,Co,组态,第一性原理,密度泛函理论,不同位置,能带结构,电子态密度,自旋密度,电子结构,结构特性,新奇,自旋流,新分布,巡游,Dirac,磁振子,色散,人工调控,自旋波,谷电
AB值：
0.303007
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