典型文献
La3+掺杂SiC纳米线的电磁性能与第一性原理计算
文献摘要：
SiC纳米线具有吸波性能强、作用频带宽、密度低的优点,但是由于SiC较差的阻抗匹配条件和较低的电导率,影响了其吸波性能的进一步提高.为了调节SiC的电子结构,改善其电磁性能,以硅微粉、活性炭、La2O3粉末为原料通过碳热还原法在1600℃合成了La3+掺杂SiC纳米线.结果表明:掺杂La3+能够增大SiC纳米线的长径比和堆垛层错密度,增强其形成三维网状结构和界面极化的能力,其介电性能得到了提高.在2～18 GHz范围内,其介电实部由3.08～13.48(x=0)提升至3.33～19.75(x=1.0％),介电虚部由3.45～6.98(x=0)提升至5.03～11.56(x=1.0％).同时La3+掺杂提高了SiC纳米线的电导率,增强了其电导损耗.由于SiC纳米线界面极化和电导损耗的同时增强,掺杂2.0％的La3+的SiC纳米线在厚度为2.0 mm时达到了最小反射损耗(RL)-31.46 dB,有效吸收带宽(RL<-10 dB)为7.18 GHz.通过第一性原理计算研究了SiC纳米线及La3+掺杂SiC纳米线的电子结构,结果表明,La3+掺杂后SiC纳米线的带隙减小,验证了其导电性的增强.La3+掺杂能够在引入掺杂元素的同时增大SiC纳米线的堆垛层错密度,克服了掺杂元素时堆垛层错密度降低的现象,为合成高吸波特性SiC纳米线提供了思路.
文献关键词：
碳化硅纳米线;镧离子掺杂;电磁波吸收;第一性原理;有效吸收带宽
中图分类号：
作者姓名：
周王聪;李享成;朱颖丽;陈平安;朱伯铨
作者机构：
武汉科技大学,省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,武汉 430081
文献出处：
引用格式：
[1]周王聪;李享成;朱颖丽;陈平安;朱伯铨-.La3+掺杂SiC纳米线的电磁性能与第一性原理计算)[J].硅酸盐学报,2022(07):1919-1928
A类：
镧离子掺杂
B类：
La3+,SiC,电磁性能,第一性原理计算,吸波性能,频带,阻抗匹配,电导率,电子结构,硅微粉,活性炭,La2O3,碳热还原法,长径比,堆垛,层错,三维网状结构,界面极化,介电性能,GHz,电导损耗,小反射,反射损耗,RL,dB,有效吸收带宽,带隙,导电性,掺杂元素,吸波特性,碳化硅纳米线,电磁波吸收
AB值：
0.228129
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