典型文献
三维碳化硅纳米线增强碳化硅陶瓷基复合材料的电磁屏蔽性能
文献摘要：
碳化硅纳米线具有优异的电磁吸收性能,三维网络结构可以更好地使电磁波在空间内被多次反射和吸收.通过抽滤的方法制备得到体积分数20％交错排列的碳化硅纳米线网络预制体.然后采用化学气相渗透工艺制备热解炭界面和碳化硅基体,并通过化学气相渗透和前驱体浸渍热解工艺得到致密的SiCNWs/SiC陶瓷基复合材料.甲烷和三氯甲基硅烷分别是热解炭和碳化硅的前驱体,随着热解碳质量分数从21.3％增加到29.5％,多孔SiCNWs预制体电磁屏蔽效率均值在8～12 GHz(X)波段从9.2 dB增加到64.1 dB.质量增重13％的热解碳界面修饰的SiCNWs/SiC陶瓷基复合材料在X波段平均电磁屏蔽效率达到37.8 dB电磁屏蔽性能.结果显示,SiCNWs/SiC陶瓷基复合材料在新一代军事电磁屏蔽材料中具有潜在应用前景.
文献关键词：
碳化硅纳米线;电磁屏蔽;陶瓷基复合材料;热解碳;SiC基体
中图分类号：
作者姓名：
阮景;杨金山;闫静怡;游潇;王萌萌;胡建宝;张翔宇;丁玉生;董绍明
作者机构：
中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海 200050;中国科学院上海硅酸盐研究所,结构陶瓷及复合材料工程研究中心,上海 201899;上海科技大学 物质科学与技术学院,上海 201210;中国科学院大学,北京 100039;中国科学院大学 材料科学与光电工程中心,北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]阮景;杨金山;闫静怡;游潇;王萌萌;胡建宝;张翔宇;丁玉生;董绍明-.三维碳化硅纳米线增强碳化硅陶瓷基复合材料的电磁屏蔽性能)[J].无机材料学报,2022(05):579-584
A类：
B类：
三维碳,碳化硅纳米线,碳化硅陶瓷,陶瓷基复合材料,电磁屏蔽性能,电磁吸收性能,三维网络结构,电磁波,多次反射,抽滤,线网,预制体,化学气相渗透,工艺制备,热解炭,硅基,前驱体,浸渍,热解工艺,SiCNWs,三氯,硅烷,热解碳,碳质量分数,GHz,波段,dB,增重,界面修饰,电磁屏蔽材料,潜在应用
AB值：
0.227087
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