典型文献
温补型体声波滤波器设计与制备
文献摘要：
基于薄膜体声波谐振器(FBAR)技术的滤波器频率温度系数为(—30～—25)×10—6/℃,其电学性能受环境温度影响较大,将降低滤波器在全温工作的性能,限制其应用环境,尤其是对滤波器通带插损与矩形系数要求高的应用场合.该文在常规FBAR滤波器中引入正温度系数的SiO2材料层,通过对滤波器的层叠位置设计及加工工艺等技术的研究,研制出S波段温补型FBAR滤波器器件,其工作频率为3.1 GHz,插入损耗为2.0 dB,带外抑制不小于30 dB,频率温度系数为—0.02×10—6/℃.
文献关键词：
薄膜体声波谐振器(FBAR);滤波器;温补层;SiO2;频率温度系数
中图分类号：
作者姓名：
张智欣;陈晓阳;陈长娥;闫鑫;林树超
作者机构：
北京无线电测量研究所，北京 100854
文献出处：
引用格式：
[1]张智欣;陈晓阳;陈长娥;闫鑫;林树超-.温补型体声波滤波器设计与制备)[J].压电与声光,2022(02):242-245
A类：
体声波滤波器,温补层
B类：
滤波器设计,薄膜体声波谐振器,FBAR,频率温度系数,电学性能,环境温度影响,应用环境,通带,插损,应用场合,正温度系数,SiO2,层叠,位置设计,加工工艺,波段,工作频率,GHz,插入损耗,dB,带外抑制
AB值：
0.301794
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