典型文献
0.75PZT-xPZN-(0.25-x)PNN 压电陶瓷的相结构和电性能
文献摘要：
采用传统固相法制备了 0.75Pb(Zr1/2 Ti1/2)O3-xPb(Zn1/3 Nb2/3)O3-(0.25-x)Pb(Ni1/3 Nb2/3)O3(0.75PZT-xPZN-(0.25-x)PNN,摩尔分数x=0.05,0.10,0.15,0.20)压电陶瓷,研究了x值对陶瓷晶体结构、烧结特性、微观组织和介电、铁电、压电性能的影响规律.结果表明,陶瓷中三方相和四方相共存,当x=0.10～0.20时,陶瓷组分位于准同型相界(MPB)附近.随着PZN含量的增加,三方相含量减少,四方相含量增加,陶瓷的介电常数(εT)、压电常数(d33)、机电耦合系数(kp)和能量转化因子(d33×g33)均随之先增大后减小,当x=0.15时,0.75PZT-0.15PZN-0.10PNN陶瓷具有最佳电学性能,即εT=1 850,公电损耗tan δ=0.029,居里温度Tc=280℃,d33=370 pC/N,kp=0.67.
文献关键词：
压电陶瓷;组分设计;准同型相界(MPB);居里温度;压电性能
中图分类号：
作者姓名：
冯晓颖;周黎阳;许心;王挥;阎彬;许晓宇;许杰;高峰
作者机构：
西北工业大学材料学院,凝固技术国家重点实验室,陕西西安710072;中国航天科技集团有限公司第九研究院第七七一研究所,陕西西安710065;西安交通大学附属红会医院创伤骨科环骨盆病区,陕西西安710054
文献出处：
引用格式：
[1]冯晓颖;周黎阳;许心;王挥;阎彬;许晓宇;许杰;高峰-.0.75PZT-xPZN-(0.25-x)PNN 压电陶瓷的相结构和电性能)[J].压电与声光,2022(04):531-536
A类：
75PZT,xPZN,75Pb,xPb,PZN,15PZN,10PNN
B类：
压电陶瓷,相结构,固相法,Zr1,Ti1,O3,Zn1,Nb2,Ni1,摩尔分数,晶体结构,烧结特性,微观组织,铁电,压电性能,四方相,准同型相界,MPB,相含量,介电常数,压电常数,d33,机电耦合系数,kp,能量转化,g33,瓷具,电学性能,电损耗,tan,居里温度,Tc,pC,组分设计
AB值：
0.344614
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