典型文献
AlN/PZT复合压电薄膜层SAW激励与传播研究
文献摘要：
该文在单晶硅基底上设计了AlN/PZT复合压电薄膜层声表面波(SAW)器件,采用有限元法(FEM)研究了复合压电材料厚度(PZT厚度hPZT和AlN厚度hAlN)对AlN/IDT/PZT/Si结构中零阶、一阶SAW的相速度、机电耦合系数和电极反射系数的影响,根据色散特性得到最优化薄膜厚度.结果表明,AlN/IDT/PZT/Si结构中,当hPZT=0.025λ,hAlN=λ时,零阶、一阶SAW都能取得最高相速度(分别为5582 m/s和5711 m/s),适用于高频器件设计;在hPZT=0.2λ,hAlN=0.1λ时,零阶SAW波的机电耦合系数最大(为21.55％),但此时相速度最小(仅为2890 m/s),适用于移动通信领域宽带低损耗SAW滤波器和延迟线结构信号处理器件的设计.
文献关键词：
声表面波(SAW);复合压电薄膜;声激励;声传播;色散
中图分类号：
作者姓名：
文芷菁;张涛;柯贤桐;刘鑫鑫;曹晓闯;ALIREZA Baghai Wadji
作者机构：
西安科技大学 理学院,陕西 西安 710054
文献出处：
引用格式：
[1]文芷菁;张涛;柯贤桐;刘鑫鑫;曹晓闯;ALIREZA Baghai Wadji-.AlN/PZT复合压电薄膜层SAW激励与传播研究)[J].压电与声光,2022(02):205-209
A类：
复合压电薄膜,hPZT,hAlN,高频器件
B类：
膜层,SAW,传播研究,单晶硅,硅基底,声表面波,有限元法,FEM,压电材料,材料厚度,IDT,Si,相速度,机电耦合系数,反射系数,色散特性,薄膜厚度,能取,器件设计,移动通信,通信领域,宽带,低损耗,滤波器,延迟线,线结,信号处理器,声激励,声传播
AB值：
0.251973
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