典型文献
高速硅基单端推挽驱动狭缝脊波导调制器
文献摘要：
针对硅基单端推挽驱动调制器的脊波导pn结部分结电容较大,限制了调制器带宽进一步提高的问题,提出了一种狭缝脊波导pn结结构.通过将脊波导pn结蚀刻一定尺寸的狭缝,降低了 pn结电容,实现了带宽的提升.对两种pn结进行了仿真对比,结果表明,在相同电极结构与掺杂条件下,狭缝脊波导调制器比脊波导调制器的电光带宽提升了约8.3 GHz.基于优化的单端推挽驱动狭缝脊波导调制器,仿真实现了 90 Gbit/s的OOK信号调制,眼图消光比为14.69dB.
文献关键词：
硅光子;电光调制器;行波电极;马赫-曾德尔干涉仪;pn结
中图分类号：
作者姓名：
蔡龙飞;胡国华;恽斌峰
作者机构：
东南大学先进光子学中心,南京210096
文献出处：
引用格式：
[1]蔡龙飞;胡国华;恽斌峰-.高速硅基单端推挽驱动狭缝脊波导调制器)[J].半导体光电,2022(02):248-253
A类：
69dB,行波电极
B类：
硅基,单端,推挽,狭缝,脊波导,导调,pn,结电容,结结,蚀刻,定尺,仿真对比,电极结构,光带,GHz,仿真实现,Gbit,OOK,信号调制,眼图,消光比,硅光子,电光调制器,马赫,干涉仪
AB值：
0.291944
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