典型文献
中红外波段高速硅基电光调制器设计与优化
文献摘要：
作为中红外波段中最接近O波段和C波段的波段，2 μm波段区域逐渐引起人们的广泛关注。主要对2 μm波段的马赫-增德尔型调制器进行优化设计和仿真，根据2 μm波长下光模场分布的特点，选用具有340 nm厚度顶层硅的SOI衬底，结合实际工艺中240 nm硅刻蚀深度，得到宽度为600 nm以及平板层厚度为100 nm的最优脊波导结构。通过优化掺杂浓度和掺杂区位置获得综合性能最优的调制器器件，在4 V反向偏压下器件光损耗为5.17 dB/cm，调制效率为2.86 V·cm，静态消光比为23.8 dB，3dB EO带宽为27.1 GHz。同时，与220 nm厚度顶层硅器件相比较，器件的综合性能更为优越。研究内容为后续器件实际制作提供了依据，也为后续2 μm波段光收发集成模块所需调制器设计提供了新的方向。
文献关键词：
硅基光电子学;中红外波段;调制器
中图分类号：
作者姓名：
刘雨菲;李欣雨;王书晓;岳文成;蔡艳;余明斌
作者机构：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海 200050;中国科学院大学 材料与光电研究中心，北京 100049;上海微技术工业研究院，上海 201800
文献出处：
引用格式：
[1]刘雨菲;李欣雨;王书晓;岳文成;蔡艳;余明斌-.中红外波段高速硅基电光调制器设计与优化)[J].红外与激光工程,2022(03):
A类：
B类：
中红外波段,电光调制器,设计与优化,马赫,下光,模场,场分布,SOI,衬底,刻蚀深度,板层,脊波导,波导结构,掺杂浓度,偏压,消光比,3dB,EO,GHz,光收,收发,集成模块,硅基光电子学
AB值：
0.303541
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