典型文献
分子束外延GaAs/Si(001)材料反相畴的湮灭机理
文献摘要：
从第一性原理出发,计算了不同温度下GaAs材料中沿｛110｝、{111｝和｛112｝面传播的反相畴(APD)形成能,探索了反相畴的湮灭机理.结果表明,当温度达到660 K以上时,APD最稳定的传播晶面从｛110｝转变到｛112}.通过分子束外延(MBE)技术,在无偏角Si(001)衬底上生长了 1.4 μm厚的GaAs外延层.测试结果表明,随着生长温度的升高,APD密度降低,不同传播面的湮灭现象增加.反相畴在较高的生长温度下更易于扭折到｛112｝面,从而与其他反相畴相遇并发生湮灭.该结果对全MBE生长高性能无偏角硅基激光器研究具有重要意义.
文献关键词：
材料;硅基激光器;第一性原理;分子束外延;反相畴;无偏角Si(001)
中图分类号：
作者姓名：
肖春阳;王俊;李家琛;王海静;贾艳星;马博杰;刘倬良;明蕊;白一鸣;黄永清;任晓敏;罗帅;季海铭
作者机构：
北京邮电大学电子工程学院信息光子学与光通信国家重点实验室,北京100876;华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室,北京102206;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083
文献出处：
引用格式：
[1]肖春阳;王俊;李家琛;王海静;贾艳星;马博杰;刘倬良;明蕊;白一鸣;黄永清;任晓敏;罗帅;季海铭-.分子束外延GaAs/Si(001)材料反相畴的湮灭机理)[J].中国激光,2022(23):33-38
A类：
硅基激光器
B类：
分子束外延,GaAs,Si,反相畴,湮灭,第一性原理,APD,形成能,晶面,变到,MBE,无偏,偏角,衬底,上生,外延层,扭折,相遇
AB值：
0.267453
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