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无偏角4H-SiC同质外延温场分布系数的仿真及实验研究
文献摘要：
采用化学气相沉积(CVD)方法进行碳化硅(4H-SiC)同质外延生长,生长过程中温场分布是决定外延层质量的关键因素.对CVD系统的温场分布进行了仿真研究,并采用无偏角4H-SiC衬底进行同质外延生长实验验证.结果表明,无偏角4H-SiC外延层中的3C-SiC多型体夹杂与生长室温场分布密切相关.实验数据验证了仿真结果,两者的温度分布具有高度一致性,这也证明了仿真数据的有效性.
文献关键词：
碳化硅;无偏角衬底;同质外延;温度场
中图分类号：
作者姓名：
汪久龙;赵思齐;李云凯;闫果果;申占伟;赵万顺;王雷;关敏;刘兴昉;孙国胜;曾一平
作者机构：
中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学重点实验室,北京100083;中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049;低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京100083
文献出处：
引用格式：
[1]汪久龙;赵思齐;李云凯;闫果果;申占伟;赵万顺;王雷;关敏;刘兴昉;孙国胜;曾一平-.无偏角4H-SiC同质外延温场分布系数的仿真及实验研究)[J].半导体光电,2022(05):909-913
A类：
无偏角衬底
B类：
4H,SiC,温场分布,分布系数,化学气相沉积,CVD,碳化硅,同质外延生长,生长过程,外延层,仿真研究,行同,生长实验,3C,多型,夹杂,数据验证,温度分布,高度一致,仿真数据
AB值：
0.244616
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