典型文献
MOCVD生长的瓦级中波红外高功率量子级联激光器
文献摘要：
基于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术实现了室温连续(CW)输出功率达到瓦级的中波红外量子级联激光器(QCL).通过MOCVD生长条件优化,实现了高界面质量双声子共振结构材料生长,制备出室温CW功率最高为1.21 W的4.6μm QCL.具体研究了基于生长的30和40级有源区材料所制备器件的性能,探究了不同级数对器件性能的影响.相比于30级有源区器件,40级有源区器件单位面积等效输出功率没有明显提升,但器件性能随温度的升高迅速下降,这归因于更加显著的热积累效应和外延材料变厚导致的质量恶化.因此,在通过增加有源区级数提升器件功率时,需要充分考虑有源级数、热积累和材料生长质量等因素之间的平衡.MOCVD是半导体材料产业界普遍采用的技术,本研究工作对于提升QCL材料制备效率、推进QCL技术产业化应用具有重要意义.
文献关键词：
激光器;中红外;量子级联激光器;金属有机物化学气相沉积;高功率;连续输出
中图分类号：
作者姓名：
孙永强;费腾;黎昆;郭凯;张锦川;卓宁;刘俊岐;王利军;刘舒曼;贾志伟;翟慎强;刘峰奇;王占国
作者机构：
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083;中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]孙永强;费腾;黎昆;郭凯;张锦川;卓宁;刘俊岐;王利军;刘舒曼;贾志伟;翟慎强;刘峰奇;王占国-.MOCVD生长的瓦级中波红外高功率量子级联激光器)[J].光学学报,2022(22):105-110
A类：
B类：
MOCVD,中波红外,高功率,量子级联激光器,金属有机物化学气相沉积,CW,输出功率,功率达,QCL,生长条件,条件优化,双声,声子,结构材料,材料生长,具体研究,有源,源区,同级,器件性能,单位面积,归因于,热积累效应,变厚,区级,提升器,生长质量,半导体材料,产业界,材料制备,制备效率,技术产业化,产业化应用,中红外,连续输出
AB值：
0.349925
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