典型文献
As/HfS2范德瓦耳斯异质结电子光学特性及量子调控效应
文献摘要：
两种或两种以上的单层材料堆垛成范德瓦耳斯异质结是实现理想电子及光电子器件的有效策略.本文选用As单层及HfS2单层,采用6种堆垛方式构建As/HfS2异质结,并选取最稳结构,利用杂化泛函HSE06系统地研究了其电子和光学性质以及量子调控效应.计算发现,As/HfS2本征异质结为Ⅱ型能带对齐半导体,且相对两单层带隙(>2.0 eV)能明显减小(约0.84 eV),特别是价带偏移(VBO)和导带偏移(CBO)可分别高达1.48 eV和1.31 eV,非常有利于研发高性能光电器件和太阳能电池.垂直应变能有效调节异质结的能带结构,拉伸时带隙增大,并出现间接带隙到直接带隙的转变现象,而压缩时,带隙迅速减少直到金属相发生.外加电场可以灵活地调控异质结的带隙及能带对齐方式,使异质结实现Ⅰ型、Ⅱ型和Ⅲ型之间的转变.此外,As/HfS2异质结在可见光区域有较强的光吸收能力,且可通过外加电场和垂直应变获得进一步提高.这些结果表明As/HfS2异质结构在电子器件、光电子器件和光伏电池领域具有潜在的应用前景.
文献关键词：
范德瓦耳斯异质结;Ⅱ型能带对齐;垂直应变;外加电场;光吸收系数
中图分类号：
作者姓名：
张仑;陈红丽;义钰;张振华
作者机构：
长沙理工大学,柔性电子材料基因工程湖南省重点实验室,长沙 410114
文献出处：
引用格式：
[1]张仑;陈红丽;义钰;张振华-.As/HfS2范德瓦耳斯异质结电子光学特性及量子调控效应)[J].物理学报,2022(17):327-337
A类：
HfS2,VBO
B类：
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AB值：
0.280583
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