典型文献
多量子势垒双阻挡层结构对AlGaN基深紫外激光二极管的性能优化
文献摘要：
为提高AlGaN基深紫外激光二极管(Deep Ultraviolet Laser Diodes,DUV-LD)有源区内载流子浓度,减少载流子泄露,提出一种DUV-LD双阻挡层结构,相对于传统的单一电子阻挡层(Electron Blocking Layer,EBL)结构,又引入一空穴阻挡层(Hole Blocking Layer,HBL),仿真结果证明空穴阻挡层的应用能很好地减少空穴泄漏.同时又对双阻挡层改用五周期Al0.98 Ga0.02 N/Al0.9 Ga0.1N多量子势垒层结构,结果显示与矩形EBL和HBL激光二极管相比,多量子势垒EBL和HBL激光二极管有更好的斜率效率,并且有源区内电子和空穴载流子浓度以及辐射复合速率都有效提高,其中多量子势垒EBL在阻挡电子泄露方面效果更显著.
文献关键词：
多量子势垒;双阻挡层;深紫外激光二极管;载流子泄露
中图分类号：
作者姓名：
王梦真;王瑶;魏士钦;王芳;全智;刘俊杰;刘玉怀
作者机构：
郑州大学信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心,郑州450001
文献出处：
引用格式：
[1]王梦真;王瑶;魏士钦;王芳;全智;刘俊杰;刘玉怀-.多量子势垒双阻挡层结构对AlGaN基深紫外激光二极管的性能优化)[J].原子与分子物理学报,2022(02):141-146
A类：
多量子势垒,双阻挡层,载流子泄露
B类：
AlGaN,深紫外激光二极管,性能优化,Deep,Ultraviolet,Laser,Diodes,DUV,LD,有源,源区,载流子浓度,电子阻挡层,Electron,Blocking,Layer,EBL,空穴阻挡,Hole,HBL,改用,Al0,Ga0,1N,管有,复合速率,电子泄露
AB值：
0.22513
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