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PECVD生长垂直石墨烯的场发射特性研究
文献摘要：
采用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以甲烷为碳源,在金属铜箔上制备了三维垂直石墨烯.通过调节生长参数,进行了七组对比实验,利用扫描电子显微镜,拉曼光谱对垂直石墨烯的形貌、质量以及层数进行了表征,用二级结构的场发射仪器测试了垂直石墨烯的场发射特性,研究了垂直石墨烯的场发射特性与其形貌、质量和密度的关系,并获得了开启电场低至0.29 V/μm的场发射特性.研究结果表明,垂直石墨烯是一种良好的场发射材料,未来在真空电子源中具有广阔的应用前景.
文献关键词：
场发射特性;垂直石墨烯;石墨烯边缘;等离子体增强化学气相沉积
中图分类号：
作者姓名：
叶志豪;许坤;丁佩;李艳;田喜敏;段向阳;杨鹏;李倩倩;赵梦圆;杜银霄;陈雷明;曾凡光
作者机构：
郑州航空工业管理学院材料学院,郑州450046
文献出处：
引用格式：
[1]叶志豪;许坤;丁佩;李艳;田喜敏;段向阳;杨鹏;李倩倩;赵梦圆;杜银霄;陈雷明;曾凡光-.PECVD生长垂直石墨烯的场发射特性研究)[J].半导体光电,2022(06):1124-1129
A类：
场发射特性,石墨烯边缘
B类：
PECVD,垂直石墨烯,射频等离子体,等离子体增强化学气相沉积,碳源,铜箔,调节生长,生长参数,拉曼光谱,层数,二级结构,仪器测试,电子源
AB值：
0.19242
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