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光刻调焦调平测量技术的研究进展
文献摘要：
光刻机利用调焦调平测量系统实现对硅片形貌的精密测量,是实现高质量曝光的关键.基于光学三角法实现硅片形貌测量的调焦调平测量技术是目前主流光刻机厂商普遍采用的技术.首先,介绍了光学三角法的测量原理和系统组成.然后,以实现高精度、高速硅片形貌测量为目标,重点分析了调焦调平测量系统的测量方式、工艺适应能力以及相适应成像探测光路涉及的关键技术及演化过程.最后,指出了调焦调平测量系统需要改进和优化之处,以应对极紫外光刻真空环境的要求.
文献关键词：
光学设计;光刻;调焦调平;形貌测量;工艺适应能力;极紫外光刻
中图分类号：
作者姓名：
齐月静;裴雨多;宗明成;李璟;陈进新
作者机构：
中国科学院微电子研究所,北京100029;中国科学院大学,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]齐月静;裴雨多;宗明成;李璟;陈进新-.光刻调焦调平测量技术的研究进展)[J].激光与光电子学进展,2022(09):258-269
A类：
调焦调平,工艺适应能力
B类：
测量技术,光刻机,测量系统,系统实现,硅片,精密测量,曝光,光学三角法,形貌测量,流光,厂商,测量原理,系统组成,测量方式,成像探测,测光,光路,对极,极紫外光刻,真空环境,光学设计
AB值：
0.223674
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