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"光刻技术"专题前言
文献摘要：
集成电路是现代工业的基础.光刻机是集成电路制造的核心装备,其技术水平决定了集成电路的集成度.
几十年来,光刻机曝光波长从436 nm可见光波段减小到193 nm深紫外波段,再到 目前最短的13.5 nm极紫外波段.投影物镜的数值孔径从初期的0.28增大到干式光刻机的0.93,再到浸液式光刻机的1.35.利用光学邻近效应校正、光源掩模联合优化、多重图形等分辨率增强技术,光刻工艺因子已突破理论极限.光刻机技术与光刻技术的不断进步,支撑着集成电路不断向更小技术节点发展.不断涌现的新技术、新工艺、新材料、新设备使得光刻技术水平不断提升,集成电路特征尺寸不断减小,目前已逼近尺寸微缩的物理极限.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
王向朝;韦亚一;邱建荣
作者机构：
中国科学院上海光学精密机械研究所;中国科学院微电子研究所;浙江大学光电科学与工程学院
文献出处：
引用格式：
[1]王向朝;韦亚一;邱建荣-."光刻技术"专题前言)[J].激光与光电子学进展,2022(09):前插1-前插2
A类：
光学邻近效应校正,邻近效应校正,光源掩模联合优化
B类：
光刻技术,前言,现代工业,光刻机,集成电路制造,核心装备,集成度,曝光,光波长,可见光波段,深紫外,极紫外,投影物镜,数值孔径,干式,浸液式,利用光,重图,分辨率增强技术,光刻工艺,新工艺,新设备,特征尺寸,逼近,微缩
AB值：
0.301233
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