典型文献
多孔GaN/CuZnS异质结窄带近紫外光电探测器
文献摘要：
窄带光电探测系统在荧光检测、人工视觉等领域具有广泛应用.为了实现对特殊波段的窄带光谱探测,传统上需要将宽带探测器和光学滤波片集成.但是,随着检测技术的发展,人们对探测系统的功耗、尺寸、成本等方面也提出了更高要求,结构复杂、成本高的传统窄带光电探测器应用受到限制.于是,本文展示了一种基于多孔GaN/CuZnS异质结的无滤波、窄带近紫外光电探测器.通过光电化学刻蚀和水浴生长方法,分别制备了具有低缺陷密度的多孔GaN薄膜和高空穴电导率的CuZnS薄膜,并构建了多孔GaN/CuZnS异质结近紫外光电探测器.得益于GaN的多孔结构和CuZnS的光学滤波作用,器件在–2 V偏压、370 nm紫外光照下,光暗电流比超过4个数量级;更重要的是,器件具有超窄带近紫外光响应(半峰宽<8 nm,峰值为370 nm).此外,该探测器的峰值响应度、外量子效率和比探测率分别达到了0.41 A/W,138.6％和9.8×1012 Jones.这些优异的器件性能显示了基于多孔GaN/CuZnS异质结的近紫外探测器在窄光谱紫外检测领域具有广阔的应用前景.
文献关键词：
紫外光电探测器;异质结;多孔GaN;窄带响应
中图分类号：
作者姓名：
郭越;孙一鸣;宋伟东
作者机构：
五邑大学应用物理与材料学院,江门 529000;华南师范大学半导体科学与技术学院,广州 510631
文献出处：
引用格式：
[1]郭越;孙一鸣;宋伟东-.多孔GaN/CuZnS异质结窄带近紫外光电探测器)[J].物理学报,2022(21):350-358
A类：
CuZnS,光电化学刻蚀
B类：
GaN,异质结,紫外光电探测器,光电探测系统,荧光检测,波段,光谱探测,宽带,波片,功耗,窄带光电探测器,受到限制,无滤波,水浴,缺陷密度,空穴,电导率,多孔结构,偏压,紫外光照,照下,光暗电流比,数量级,光响应,半峰宽,响应度,外量子效率,比探测率,Jones,器件性能,紫外探测器,紫外检测,检测领域,窄带响应
AB值：
0.253005
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