典型文献
长波p-on-n碲镉汞红外焦平面器件高温工作性能
文献摘要：
碲镉汞材料为窄禁带半导体,随着工作温度的升高,材料本征载流子浓度会增加,探测器截止波长会变短,暗电流增加等,会导致器件性能降低.碲镉汞红外探测器通常在77 K温度附近工作并获得很好的探测性能,但低温工作会增加探测器的制备成本、功耗、体积和重量等.为了解决这些问题,在保证探测器正常工作性能的前提下,提升探测器的工作温度是碲镉汞红外探测器的重要研究方向.p-on-n结构的碲镉汞红外焦平面器件具有低暗电流、长少子寿命等特点,有利于在高工作温度条件下获得较好的器件性能.在不同工作温度下对p-on-n长波焦平面探测器的性能进行测试分析,在110 K时p-on-n长波碲镉汞红外焦平面探测器噪声等效温差(Noise Equivalent Temperature Difference,NETD)为25.3 mK,有效像元率为99.48％,在高温条件下具备较优的工作性能.
文献关键词：
高温探测器;碲镉汞;p-on-n;暗电流;噪声等效温差(NETD)
中图分类号：
作者姓名：
熊伯俊;邹雷;杨超伟;秦强;孔金丞;李立华
作者机构：
昆明物理研究所,云南昆明650223;中国人民解放军63963部队,北京100071
文献出处：
引用格式：
[1]熊伯俊;邹雷;杨超伟;秦强;孔金丞;李立华-.长波p-on-n碲镉汞红外焦平面器件高温工作性能)[J].红外与毫米波学报,2022(04):672-677
A类：
窄禁带半导体,高温探测,高温探测器
B类：
长波,on,红外焦平面器件,高温工作,工作性能,载流子浓度,截止波长,变短,暗电流,加等,器件性能,碲镉汞红外探测器,探测性能,制备成本,功耗,少子寿命,高工作温度,温度条件,测试分析,红外焦平面探测器,噪声等效温差,Noise,Equivalent,Temperature,Difference,NETD,mK,高温条件
AB值：
0.235305
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