典型文献
InAsSb势垒阻挡型红外探测器暗电流特性研究
文献摘要：
计算了不同温度下由辐射复合和俄歇复合决定的InAsSb材料的载流子寿命,结果表明,低温下n型InAsSb材料的载流子寿命受限于辐射复合过程,而高温下InAsSb材料的载流子寿命取决于Auger 1复合过程.讨论了势垒阻挡型器件的暗电流解析模型及暗电流抑制机理,通过在nBn吸收层的另一侧增加重掺杂的n型电极层形成nBnn+结构对吸收区内的载流子进行耗尽,吸收区少数载流子浓度降低约两个数量级,从而进一步降低器件暗电流.成功制备了InAsSb-基nBnn+器件,150 K下器件暗电流低至3×10-6 A/cm2,采用势垒结构器件的暗电流解析模型对150 K下器件的暗电流进行拟合分析,结果表明由于势垒层为p型掺杂,在吸收层形成耗尽区,导致器件中的产生复合电流并没有完全被抑制,工作温度低于180 K,器件暗电流受限于产生复合电流,工作温度高于180 K,器件暗电流受限于扩散电流.
文献关键词：
铟砷锑;高工作温度;势垒;中红外
中图分类号：
作者姓名：
陈冬琼;王海澎;秦强;邓功荣;尚发兰;谭英;孔金丞;胡赞东;太云见;袁俊;赵鹏;赵俊;杨文运
作者机构：
昆明物理研究所,云南昆明650223
文献出处：
引用格式：
[1]陈冬琼;王海澎;秦强;邓功荣;尚发兰;谭英;孔金丞;胡赞东;太云见;袁俊;赵鹏;赵俊;杨文运-.InAsSb势垒阻挡型红外探测器暗电流特性研究)[J].红外与毫米波学报,2022(05):810-817
A类：
nBn,nBnn+,铟砷锑
B类：
InAsSb,阻挡,红外探测器,暗电流,载流子寿命,受限于,Auger,电流解析,解析模型,电流抑制,抑制机理,另一侧,耗尽,数载,载流子浓度,数量级,势垒结构,流进,拟合分析,温度高,高工作温度,中红外
AB值：
0.230164
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