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半导体材料中的多光子吸收效应研究进展
文献摘要：
一般情况下半导体材料可以吸收一个能量大于带隙的光子,使价带中的一个电子跃迁到导带.但是,在某些特殊的情况下,半导体材料也能吸收多个能量小于带隙的光子,使价带中的一个电子跃迁到导带,这就是多光子吸收效应.多光子吸收效应是一种非线性光学效应.该综述首先介绍了多光子吸收效应的理论基础和测试方法,然后回顾了多光子吸收效应的研究成果,最后展望了半导体低维结构中的多光子吸收效应研究,以及潜在的应用前景.
文献关键词：
多光子吸收效应;非线性光学;半导体材料;综述;超晶格
中图分类号：
作者姓名：
赵成城;李家发
作者机构：
中国电子科技集团公司第十一研究所,北京 100015
文献出处：
引用格式：
[1]赵成城;李家发-.半导体材料中的多光子吸收效应研究进展)[J].激光与红外,2022(02):147-153
A类：
多光子吸收效应
B类：
半导体材料,带隙,价带,跃迁,迁到,导带,在某些特,非线性光学效应,低维,超晶格
AB值：
0.143751
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