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导模法生长的β-Ga2O3单晶的位错腐蚀坑显露面
文献摘要：
β-Ga2O3单晶作为高压大功率器件的衬底,其位错密度直接影响器件的漏电特性,位错腐蚀坑显露面与外延生长密切相关.β-Ga2O3单晶属于单斜晶系,对称性低,研究不同晶面位错腐蚀坑的形状与显露面难度较高.对采用导模(EFG)法生长的(001)、(201)和(010)面β-Ga2O3晶片进行腐蚀,采用扫描电子显微镜(SEM)观测腐蚀坑形貌,采用共聚焦激光扫描显微镜对显露面与表面晶面之间的夹角进行表征,根据测试结果可推算出腐蚀坑显露面晶面指数,为衬底和外延生长提供重要的参考依据.
文献关键词：
β-Ga2O3单晶;位错;腐蚀坑;显露面;表面能
中图分类号：
作者姓名：
张胜男;王健;霍晓青;王英民;周金杰;程红娟
作者机构：
中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220
文献出处：
引用格式：
[1]张胜男;王健;霍晓青;王英民;周金杰;程红娟-.导模法生长的β-Ga2O3单晶的位错腐蚀坑显露面)[J].半导体技术,2022(12):956-959,971
A类：
导模法
B类：
Ga2O3,单晶,显露面,高压大功率,大功率器件,衬底,位错密度,响器,漏电,电特性,外延生长,单斜晶系,晶面,EFG,晶片,腐蚀坑形貌,共聚,激光扫描,扫描显微镜,夹角,推算出,表面能
AB值：
0.256652
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