典型文献
一种基于SiGe BiCMOS工艺的单片集成光接收机前端放大电路
文献摘要：
基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种25 Gbit/s的光接收机前端放大电路单片集成的放大电路.该电路实现了光接收机前端放大电路的单片集成,并采用带反馈系统的跨阻放大器、电感峰化、自动增益控制电路等设计有效提高了增益、带宽和系统稳定性.经仿真与测试,该设计增益达到69.9 dB,带宽为19.1 GHz,并在工业级芯片工作温度(-40℃～+85℃)下带宽误差不超过0.1％.该芯片工作时需要的供电电流为45 mA,功耗为81 mW,信号抖动RMS值为5.8 ps,具有良好的性能和稳定性.本设计提供了一种能够适用于100 Gbit/s(25 Gbit/s×4线)光互连系统的设计方案,具有广泛的应用前景.
文献关键词：
SiGe BiCMOS工艺;光接收机;跨阻放大器;光通信
中图分类号：
作者姓名：
陈宇星;徐永佳;孔谋夫;廖希异;吴克军;徐开凯
作者机构：
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060
文献出处：
引用格式：
[1]陈宇星;徐永佳;孔谋夫;廖希异;吴克军;徐开凯-.一种基于SiGe BiCMOS工艺的单片集成光接收机前端放大电路)[J].微电子学,2022(06):936-941
A类：
光接收机前端
B类：
SiGe,BiCMOS,单片集成,放大电路,Gbit,电路实现,反馈系统,跨阻放大器,自动增益控制,控制电路,系统稳定性,dB,GHz,工作温度,+85,mA,功耗,mW,抖动,RMS,ps,光互连,连系,光通信
AB值：
0.290452
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