典型文献
基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺的12位1.6GS/s折叠插值A/D转换器
文献摘要：
提出了一种基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺的高速、高精度折叠插值A/D转换器.采用基于SEF开关的新型采样/保持电路,固定保持阶段电压,实现了高速、高精度、高线性度的信号采样.采用带有射极跟随器的折叠放大器,构成平均折叠和环形插值的四级级联结构,减少了比较器数目,降低了建立时间和整体功耗.采用新型两级比较器,将模拟与数字信号进行隔离,优化了回踢噪声.使用小尺寸晶体管,减小了再生时间.在3.3/5 V电源和0.13 μm SiGe BiCMOS工艺下,该折叠插值A/D转换器实现了 1.6 GS/s的采样率,SFDR为71.3 dB,SNDR为63.6 dB,ENOB 为 10.27 bit.
文献关键词：
采样/保持电路;折叠放大器;比较器;折叠和插值ADC;高速
中图分类号：
作者姓名：
邹沛哲;王永禄;易周
作者机构：
重庆邮电大学光电学院,重庆400065;模拟集成电路国家级重点实验室,重庆400060;中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060
文献出处：
引用格式：
[1]邹沛哲;王永禄;易周-.基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺的12位1.6GS/s折叠插值A/D转换器)[J].微电子学,2022(02):301-305
A类：
6GS,折叠插值,折叠放大器
B类：
SiGe,BiCMOS,转换器,SEF,保持电路,高线性度,成平,四级,级联结构,比较器,建立时间,功耗,两级,数字信号,回踢噪声,小尺寸,晶体管,再生时间,采样率,SFDR,dB,SNDR,ENOB,bit,ADC
AB值：
0.34368
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