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类同轴TSV的高频电学模型与分析
文献摘要：
类同轴硅通孔(TSV)是射频三维(3D)集成电路(IC)中常用的垂直互连传输结构.针对该结构提出了一套通用的电阻-电感-电容-电导(RLCG)寄生参数计算公式,以及对应的高频等效电路模型.寄生参数是结构尺寸和材料特性的函数,可以方便地用于预测电学性能.使用三维全波仿真软件对所提出的模型进行了高达100 GHz的仿真验证,并分析了模型的散射参数与结构尺寸之间的关系.最后提出了特征阻抗的计算和优化方法,该方法可以为类同轴TSV的参数的确定提供参考.
文献关键词：
三维(3D)集成电路(IC);硅通孔(TSV);类同轴结构;等效电路模型;电阻-电感-电容-电导(RLCG)参数
中图分类号：
作者姓名：
吴伟;孙毅鹏;张兆华;王一丁;付永启;崔凯
作者机构：
电子科技大学物理学院,成都 611731;南京电子技术研究所,南京 210039
文献出处：
引用格式：
[1]吴伟;孙毅鹏;张兆华;王一丁;付永启;崔凯-.类同轴TSV的高频电学模型与分析)[J].半导体技术,2022(11):926-932
A类：
RLCG,高频等效电路模型,类同轴结构
B类：
TSV,硅通孔,集成电路,IC,垂直互连,寄生参数,参数计算,结构尺寸,材料特性,以方,电学性能,全波仿真,GHz,仿真验证,散射参数,特征阻抗
AB值：
0.239813
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