典型文献
胺结构调控硅通孔电镀铜单组分添加剂的性能
文献摘要：
通过季铵化反应对硅通孔(TSV)铜互连单组分电镀添加剂Tetronic 701(TE701)中乙二胺结构进行了电荷与空间位阻调控,获得两种甲基化季铵盐和两种磺酸丙基化季铵盐衍生物.采用恒电流测试和循环伏安法分析了衍生物的电化学性能,通过TSV芯片电镀铜研究了不同衍生物的电镀性能.结果表明,季铵盐衍生化虽未改变TE701作为添加剂的作用机制,但乙二胺结构上正电荷增加会导致TE701衍生物在阴极表面的吸附增强,从而减少脱附位点,并减缓TSV上部侧壁的铜沉积;而乙二胺连接带负电的磺酸丙基则会显著降低TE701衍生物的吸附强度,使其失去超填充性能.
文献关键词：
铜互连;电镀;硅通孔(TSV);添加剂;Tetronic 701(TE701)
中图分类号：
作者姓名：
张媛;鲁冠斌;王旭东;程元荣;肖斐
作者机构：
复旦大学材料科学系,上海 200438
文献出处：
引用格式：
[1]张媛;鲁冠斌;王旭东;程元荣;肖斐-.胺结构调控硅通孔电镀铜单组分添加剂的性能)[J].半导体技术,2022(10):796-803
A类：
Tetronic,TE701
B类：
结构调控,硅通孔,通孔电镀,电镀铜,单组分,过季,季铵化反应,TSV,铜互连,乙二胺,空间位阻,甲基化,季铵盐,丙基,衍生物,恒电流,电流测试,循环伏安法,电化学性能,衍生化,未改,正电荷,阴极,脱附,侧壁,负电,超填,填充性能
AB值：
0.294455
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