典型文献
一种具有低噪声高电源抑制的LDO电路设计
文献摘要：
设计了一种基于28nm CMOS工艺的低噪声高电源抑制LDO电路.采用折叠共源共栅结构设计了高输出阻抗、高增益误差的放大器,降低了电源噪声对输出端的影响.采用共源共栅密勒补偿结构,保证电路在负载处于轻载/重载下保持较高的相位裕度,增强了环路稳定性.误差放大器输入端采用降噪模块电路,降低了噪声对整体LDO电路的影响.基于Cadence Spectre进行仿真分析的结果表明,在1.9 V电源电压下,负载由轻载10 mA突变为重载60 mA时,环路增益为77.6～91 dB,相位裕度达到76°～79°.在中间负载电流30 mA下,对电源抑制(PSR)和噪声进行了仿真.结果表明,电源抑制为-81.9 dB,低频噪声(1 kHz)为258 nV·Hz-1/2.对LDO整体电路进行了版图设计和后仿比对.结果表明,环路增益为83.2 dB,相位裕度为78°,PSR为-78.3 dB,低频噪声(1 kHz)为 283 nV·Hz-1/2.
文献关键词：
28 nm CMOS工艺;LDO;高电源抑制;低噪声
中图分类号：
作者姓名：
王妍;杨潇雨;魏林;赵之昱
作者机构：
模拟集成电路国家级重点实验室,重庆400060;中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060
文献出处：
引用格式：
[1]王妍;杨潇雨;魏林;赵之昱-.一种具有低噪声高电源抑制的LDO电路设计)[J].微电子学,2022(05):837-842
A类：
B类：
低噪声,高电源抑制,LDO,电路设计,28nm,CMOS,折叠,共源共栅结构,高输出阻抗,高增益,增益误差,输出端,密勒补偿,轻载,重载,相位裕度,环路稳定性,误差放大器,降噪,模块电路,Cadence,Spectre,电源电压,mA,环路增益,dB,负载电流,PSR,低频噪声,kHz,nV,版图设计
AB值：
0.374543
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