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非晶硅TFT强光稳定性的研究及改善
文献摘要：
随着显示产业的迅猛发展,大尺寸、宽色域、高动态范围(HDR)和高亮度给薄膜晶体管(TFT)面板带来了更大的挑战.经过测试,在40000 nit高亮度背光照明下,经过500小时照明,面板的充电能力衰减幅度高达13％.其机理与TFT结构密切相关,如栅极的功函数和栅极绝缘层(GI)的光学带隙(Eg).经研究,通过将GI层光学带隙从4.1 eV提升到4.7 eV,高亮度应力下衰减幅度从13％改善到了1％以下.
文献关键词：
LCD;a-Si TFT;PECVD;高亮度
中图分类号：
作者姓名：
张亚军;叶发科;陆磊;Simon Han;Gilbert Seo
作者机构：
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,广东 深圳 518132;北京大学深圳研究生院,广东 深圳 518071
文献出处：
引用格式：
[1]张亚军;叶发科;陆磊;Simon Han;Gilbert Seo-.非晶硅TFT强光稳定性的研究及改善)[J].现代信息科技,2022(02):43-47
A类：
B类：
非晶硅,TFT,强光,光稳定性,显示产业,大尺寸,宽色域,高动态范围,HDR,高亮度,薄膜晶体管,板带,nit,背光,照明,减幅,栅极,功函数,绝缘层,GI,光学带隙,Eg,eV,LCD,Si,PECVD
AB值：
0.473498
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