典型文献
一种新型异质结双栅隧穿场效应晶体管
文献摘要：
文章提出一种新型Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(GP Si/Ge DGTFET).该器件在异质结的基础上加入凹槽型pocket结构,禁带宽度较窄的Ge材料可以使器件拥有更低的亚阈值摆幅和更大的开态电流,同时pocket结构的引入可以进一步降低隧穿势垒.基于Sentaurus TCAD仿真软件,将该新型器件与传统Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(Si/Ge DGTFET)进行对比.仿真结果表明,该新器件拥有更好的亚阈值摆幅和开关特性,其开态电流为6.0×10-5 A/μm,关态电流约为10-14 A/μm,平均亚阈值摆幅达到35.36 mV/dec.
文献关键词：
异质结;隧穿场效应晶体管(TFET);带带隧穿(BTBT);亚阈值摆幅;TCAD仿真
中图分类号：
作者姓名：
江瑞
作者机构：
上海电力大学 电子与信息工程学院,上海 200090
文献出处：
引用格式：
[1]江瑞-.一种新型异质结双栅隧穿场效应晶体管)[J].科技创新与应用,2022(12):44-46,51
A类：
DGTFET
B类：
异质结,隧穿场效应晶体管,Si,Ge,GP,凹槽,槽型,pocket,禁带宽度,较窄,亚阈值摆幅,开态电流,势垒,Sentaurus,TCAD,新型器件,开关特性,mV,dec,带带隧穿,BTBT
AB值：
0.303261
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