典型文献
GaN MOS-HEMT生物传感器对于GOX的灵敏度检测
文献摘要：
文章介绍一种高分辨率的AlGaN/AlN/GaN金属氧化物半导体——高电子迁移率晶体管(HEMT),并研究GaN MOS-HEMT生物传感器对于葡萄糖生物标志物GOX(葡萄糖氧化酶)灵敏度检测的可行性.与传统用于葡萄糖检测的生物传感器进行对比发现,以HfO2作为栅极电解质,可以改善器件性能,增强MOS-HEMT器件的漏极电流,提升器件的灵敏度.
文献关键词：
高电子迁移率晶体管(HEMT);葡萄糖;GOX;HfO2;灵敏度
中图分类号：
作者姓名：
沈杭
作者机构：
上海电力大学,上海 200000
文献出处：
引用格式：
[1]沈杭-.GaN MOS-HEMT生物传感器对于GOX的灵敏度检测)[J].科技创新与应用,2022(10):13-15,20
A类：
B类：
MOS,HEMT,生物传感器,GOX,AlGaN,AlN,金属氧化物半导体,高电子迁移率晶体管,生物标志物,葡萄糖氧化酶,葡萄糖检测,HfO2,栅极,电解质,器件性能,提升器
AB值：
0.262498
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