典型文献
大面积MoS2薄膜制备及其光电性能研究
文献摘要：
二维(2D)半导体薄膜材料作为当代光电子器件领域的主力军,大面积薄膜材料的制备则成为亟待解决的热点问题.文章通过一种硫(S)化预生长的氧化钼(MoO3)的方法实现大面积二硫化钼(MoS2)薄膜材料的制备.区别于传统化学气相沉积(CVD)方法生长材料随机成核的特性,文章设计利用提前在衬底上预生长MoO3作为Mo源,以固定MoS2薄膜的成核位点.研究结果表明,该方法可实现双层的大面积MoS2薄膜.进一步,将制备的双层大面积MoS2薄膜转移到叉指电极上进行光电性能研究,在532 nm的激光照射下,实现103.71 mA/W的响应度及88μs的快响应速度.预计文章的实验设计可推广到其他大面积二维薄膜材料的制备中.
文献关键词：
MoS2;MoO3;CVD;光电性能
中图分类号：
作者姓名：
王婉玉
作者机构：
长春理工大学 物理学院,吉林 长春 130022
文献出处：
引用格式：
[1]王婉玉-.大面积MoS2薄膜制备及其光电性能研究)[J].科技创新与应用,2022(18):60-63
A类：
B类：
MoS2,薄膜制备,光电性能,2D,半导体薄膜,薄膜材料,光电子器件,氧化钼,MoO3,二硫化钼,传统化,化学气相沉积,CVD,长材,成核,设计利用,衬底,叉指电极,激光照射,射下,mA,响应度,快响应,响应速度,实验设计
AB值：
0.319943
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