典型文献
磁控溅射制备Cu2ZnSnS4薄膜太阳电池
文献摘要：
为解决硫化过程中Sn元素损失的问题以及减少MoS2的厚度,采用磁控溅射技术,在基于钼的钠钙玻璃衬底上采用双周期溅射的方法,以ZnO/SnO2/Cu的顺序制备了含氧的Cu-Zn-Sn预制层.结果表明:SnO2以及ZnO的使用很好的抑制了Sn元素的损失以及MoS2层的形成,而且在590℃的硫化温度下能制备出表面平整、晶粒致密、晶体结构较好的单相Cu2ZnSnS4(CZTS)吸收层薄膜.最后,制备出结构完整的CZTS薄膜太阳电池,在590℃硫化制备的CZTS薄膜太阳电池效率最高,其开路电压为590 mV,短路电流密度为22.09 mA/cm2,填充因子为39.28％,光电转换效率达到5.12％,为今后制备高效CZTS薄膜太阳电池起到了推动作用.
文献关键词：
铜锌锡硫;薄膜太阳电池;磁控溅射;二氧化锡靶;硫化工艺
中图分类号：
作者姓名：
李新毓;张道永;李祥;李秋莲;刘信;王书荣
作者机构：
云南师范大学,云南省农村能源工程重点实验室,昆明 650500
文献出处：
引用格式：
[1]李新毓;张道永;李祥;李秋莲;刘信;王书荣-.磁控溅射制备Cu2ZnSnS4薄膜太阳电池)[J].硅酸盐学报,2022(05):1257-1262
A类：
二氧化锡靶
B类：
Cu2ZnSnS4,薄膜太阳电池,MoS2,磁控溅射技术,钠钙玻璃,衬底,双周期,ZnO,SnO2,含氧,预制,硫化温度,出表,晶粒,晶体结构,单相,CZTS,太阳电池效率,开路电压,mV,短路电流密度,mA,填充因子,光电转换效率,铜锌锡硫,硫化工艺
AB值：
0.297577
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