典型文献
高压抗辐射横向扩散金属氧化物半导体的设计与研究
文献摘要：
针对宇航级功率集成电路中横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件抗单粒子辐射性能低的问题,开展了高压LDMOS抗单粒子效应加固技术的研究,采用重掺杂P+well及漏区缓冲层结构设计了一种耐压为60 V的N型LDMOS器件.利用TCAD软件对重掺杂P+well及漏区缓冲层结构的加固机理进行仿真分析,并对回片器件利用Ta离子(线性能量转移,LET=79.2 MeV·cm2/mg)进行辐照试验验证,结果表明,提高Pwell掺杂浓度和采用缓冲层结构可将高压LDMOS器件抗单粒子烧毁电压提升至60 V.
文献关键词：
功率集成电路;横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS);单粒子烧毁;单粒子栅穿
中图分类号：
作者姓名：
初飞;陈洪转;彭领;王瑛;宁静怡
作者机构：
南京航空航天大学 南京 211106;北京微电子技术研究所 北京 100076
文献出处：
引用格式：
[1]初飞;陈洪转;彭领;王瑛;宁静怡-.高压抗辐射横向扩散金属氧化物半导体的设计与研究)[J].辐射研究与辐射工艺学报,2022(05):82-88
A类：
P+well,Pwell,单粒子栅穿
B类：
抗辐射,横向扩散,金属氧化物半导体,设计与研究,宇航,功率集成电路,LDMOS,单粒子辐射,辐射性能,单粒子效应,加固技术,缓冲层,耐压,TCAD,加固机理,Ta,能量转移,LET,MeV,辐照试验,掺杂浓度,单粒子烧毁
AB值：
0.275357
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