典型文献
高压大功率晶体管3DD155K抗辐照设计
文献摘要：
为应对星用电子装备对器件可靠性不断提高的需求、进一步提高高压NPN型功率晶体管的抗辐照能力,对高耐压大功率晶体管3DD155K进行了抗辐照加固设计.设计基于辐照效应对双极型器件的主要损伤机理,综合考虑产品芯片横、纵向结构参数及制造工艺等因素,在满足高耐压与高放大倍数指标前提下,选择合适的高阻层电阻率及厚度,设计适当的基区宽度、浓度及发射区尺寸等,加强复合型表面钝化层在提高抗辐照能力方面的作用.经实验,改进设计后的产品能够在星用场合下实现稳定可靠的运行.
文献关键词：
抗辐照;3DD155K型晶体管;高压大功率;放大倍数
中图分类号：
作者姓名：
高广亮;张小平;刘帅;苏舟;王朝莹;刘威
作者机构：
锦州辽晶电子科技有限公司,锦州121011
文献出处：
引用格式：
[1]高广亮;张小平;刘帅;苏舟;王朝莹;刘威-.高压大功率晶体管3DD155K抗辐照设计)[J].微处理机,2022(04):22-25
A类：
3DD155K
B类：
高压大功率,功率晶体管,照设,电子装备,NPN,耐压,抗辐照加固,加固设计,辐照效应,双极型,损伤机理,纵向结构,制造工艺,放大倍数,高阻层,电阻率,基区,发射区,表面钝化,钝化层,高抗,改进设计
AB值：
0.352065
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