典型文献
IGBT损耗和温度估算
文献摘要：
为获得绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在工作过程中准确的功率损耗,基于数学模型及测试,建立了一种准确计算功率逆变器损耗模型的方法.通过双脉冲测试对影响IGBT开关损耗的参数(Eon、Eoff和Erec)进行准确测量,建立了一种通用的功率器件导通损耗和开关损耗模型.在考虑IGBT芯片间热偶合影响基础上提出了一种结温估算数学模型.搭建三相电感结温测试平台,通过结温试验验证了 IGBT模块损耗模型和结温预估算型准确性.该损耗模型及结温估算的方法对于提高功率模块可靠性及降低成本具有较大工程实际意义.
文献关键词：
绝缘栅双极型晶体管;功率损耗;损耗模型
中图分类号：
作者姓名：
吴志红;何耀华
作者机构：
同济大学汽车学院,上海201907
文献出处：
引用格式：
[1]吴志红;何耀华-.IGBT损耗和温度估算)[J].微特电机,2022(07):24-28
A类：
Eoff,Erec
B类：
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,功率损耗,逆变器,损耗模型,双脉冲测试,开关损耗,Eon,准确测量,功率器件,导通损耗,偶合,算数,三相,结温测试,测试平台,高功率,功率模块,降低成本,大工程,工程实际,实际意义
AB值：
0.295033
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