典型文献
具有新型电极结构的功率发光二极管
文献摘要：
为进一步提高GaN基发光二极管(LED)的光效,以改进电极结构为研究点,设计并制备了具有叉指型电极形状,并在P/N电极下刻蚀出电极孔的新型电极结构.该结构使金属电极在P/N电极孔处分别与ITO层和N-GaN层直接接触,进而提高了器件的电流扩展能力和发光效率.为了得到更优的电流阻挡层(CBL)结构、电极孔尺寸和电极孔间距,设计了 7种不同的器件,并对其进行了光电性能测试.测试结果表明:在150 mA工作电流下,不连续CBL结构不能够有效改善LED的发光性能;P电极孔尺寸对器件的性能影响不大,当P电极孔间距由20 pim增大为30 μm时,外量子效率(EQE)和光电转换效率(WPE)分别提升了约5.0％和3.8％;当N电极孔尺寸由17pm×5 μm减小为10 μm×5 μm时,EQE和WPE分别提升了约6.5％和3.0％;当N电极孔间距由45pm减小为40pm时,并未有效改善器件的发光性能.
文献关键词：
光学器件;GaN基发光二极管;光电特性;热可靠性
中图分类号：
作者姓名：
方奥琪;郭伟玲;许昊;邓杰;陈佳昕;孙捷
作者机构：
北京工业大学光电子技术教育部重点实验室,北京100124
文献出处：
引用格式：
[1]方奥琪;郭伟玲;许昊;邓杰;陈佳昕;孙捷-.具有新型电极结构的功率发光二极管)[J].光学学报,2022(19):176-180
A类：
17pm,45pm,40pm
B类：
新型电极,电极结构,发光二极管,GaN,LED,刻蚀,极孔,使金,金属电极,处分,ITO,直接接触,发光效率,了得,流阻,阻挡层,CBL,孔间距,光电性能测试,mA,流下,发光性能,pim,外量子效率,EQE,光电转换效率,WPE,光学器件,光电特性,热可靠性
AB值：
0.318735
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