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插拔式单晶LaB6阴极制备与应用
文献摘要：
插拔式单晶LaB6阴极是我国电子束类高端仪器及设备必需的关键元件和发展的主要瓶颈.本文围绕插拔式单晶LaB6,开展了单晶精密加工、高效加热、机械夹持等制备工艺研究,并对阴极的发射性能、静态寿命等进行了测试,还开展了阴极在多个领域的应用研究.研究结果表明,所制备的阴极在电子发射性能及工作寿命方面均达到与进口阴极相当的水平,可应用于增材制造、扫描电镜、高分辨率CT等领域.
文献关键词：
插拔式;单晶;LaB6;制备;电子发射
中图分类号：
作者姓名：
阴生毅;张永清;高向阳;任峰;王宇;吕昕平
作者机构：
中国科学院空天信息创新研究院高功率微波源与技术重点实验室,北京101407;中国科学院大学,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]阴生毅;张永清;高向阳;任峰;王宇;吕昕平-.插拔式单晶LaB6阴极制备与应用)[J].真空电子技术,2022(01):55-60
A类：
B类：
插拔式,单晶,LaB6,制备与应用,电子束,键元,精密加工,夹持,制备工艺,对阴极,电子发射,工作寿命,增材制造
AB值：
0.27081
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