典型文献
新型薄膜材料在电子倍增器中的应用研究
文献摘要：
为了提高核探测、航空航天、国防和精密科学仪器等领域中传统电子倍增器的性能,使其在较低的工作电压和入射电子能量下实现高增益、低噪声、长寿命的目标,在材料制备、二次电子发射测试和电子倍增器性能优化等方面开展了大量研究工作.利用原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术研制了具有较高二次电子产额(secondary electron yield,SEY)的新型薄膜材料,研究了元素掺杂和表面修饰改善材料二次电子发射特性的方法,详细测试了薄膜材料的二次电子发射特性参数.利用ALD技术将新型薄膜材料成功应用于微通道板(microchannel plate,MCP)和单通道电子倍增器(channeltron electron multiplier,CEM)中,测试结果如下:相同工作电压下,镀膜后MCP组件的增益、单电子分辨率、峰谷比分别改善了约166％、17％和260％;对于单个CEM,镀膜前工作电压为2700 V时增益才能达到108,而镀膜后1600 V下即可达到相同增益(工作电压降低了1100 V),并且其它各项参数(分辨率≤26％,累计拾取电荷量≥15.62 C)均得到改善.该研究成果在高增益、长寿命新型电子倍增器研制及其在荷电粒子与含能光子探测中的应用具有重要意义.
文献关键词：
二次电子产额;原子层沉积;微通道板;单通道电子倍增器;粒子探测
中图分类号：
作者姓名：
闫保军;刘术林;温凯乐;王玉漫;张斌婷;徐美杭;韦雯露;彭华兴
作者机构：
中国科学院高能物理研究所 核探测与核电子学国家重点实验室,北京100049;中国科学院大学,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]闫保军;刘术林;温凯乐;王玉漫;张斌婷;徐美杭;韦雯露;彭华兴-.新型薄膜材料在电子倍增器中的应用研究)[J].空间电子技术,2022(04):85-92
A类：
单通道电子倍增器,channeltron
B类：
薄膜材料,高核,航空航天,科学仪器,工作电压,入射,电子能量,高增益,低噪声,长寿命,材料制备,二次电子发射,性能优化,原子层沉积,atomic,layer,deposition,ALD,二次电子产额,secondary,electron,yield,SEY,元素掺杂,表面修饰,特性参数,成功应用,微通道板,microchannel,plate,MCP,multiplier,CEM,镀膜,峰谷,同增,电压降低,拾取,电荷量,光子探测,粒子探测
AB值：
0.282657
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