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基于表面织构化衬底的石墨烯边缘场发射研究
文献摘要：
石墨烯缘于优异的导电性和丰富的电子隧穿边缘,是场发射阴极的良好材料,而CVD法是低成本制备大面积高质量石墨烯的方法,但生长出来的石墨烯平行于衬底,形貌不利于场发射的进行.为解决单层石墨烯的问题,本文提出一种激光表面织构技术提高石墨烯场发射性能的方法.通过激光表面织构技术,烧蚀铜箔表面,制造具有一定织构的表面形貌.通过表面织构技术结合CVD法生长石墨烯,进行表征和场发射性能测试.结果表明,相比于原样品,织构化铜箔上生长的石墨烯场发射阴极的开启电场降低了 11％,场增强因子提高了 170％,说明场发射边缘的利用得到了提升,为提高石墨烯场发射性能提供一种新思路.
文献关键词：
场发射;石墨烯边缘;激光表面织构;化学气相沉积
中图分类号：
作者姓名：
成桂霖;杨健君;全盛;钟健;于军胜
作者机构：
电子科技大学光电科学与工程学院 成都610054;电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室 中山528402;电子科技大学中山学院电子信息学院 中山528402
文献出处：
引用格式：
[1]成桂霖;杨健君;全盛;钟健;于军胜-.基于表面织构化衬底的石墨烯边缘场发射研究)[J].真空科学与技术学报,2022(04):290-295
A类：
石墨烯边缘
B类：
衬底,缘于,导电性,场发射阴极,CVD,激光表面织构,技术提高,烧蚀,铜箔,表面形貌,技术结合,长石,原样,化铜,上生,增强因子,用得,化学气相沉积
AB值：
0.206041
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